Цоколевка транзистора 2SB763-P
|
Характеристики транзистора 2SB763-P
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -5 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 120 до 250
- Корпус: TO-3P
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SB763 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB763-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 90, 2SB763-Q — в диапазоне от 70 до 150, 2SB763-P — в диапазоне от 120 до 250.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB763-P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B763-P«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB763-P является транзистор 2SD858-P c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SB763-P можно заменить на 2SA1102, 2SA1106, 2SA1292, 2SB965, 2SB966, BD246A, BD246B, BD246C, BD250A, BD250B, BD250C, BDV92, BDV94, BDV96, MJL4302A, MJL4302AG, TIP36CA