Цоколевка транзистора 2SB772P

|

Характеристики транзистора 2SB772P

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -40 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -3 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 160 до 320
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 80 МГц
• Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB772 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB772R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB772O — в диапазоне от 100 до 200, 2SB772Y — в диапазоне от 160 до 320, 2SB772GR — в диапазоне от 200 до 400, 2SB772Q — в диапазоне от 100 до 200, 2SB772P — в диапазоне от 160 до 320, 2SB772E — в диапазоне от 200 до 400.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB772P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B772P«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB772P является транзистор 2SD882P c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB772P можно заменить на 2SB743, 2SB743-P, 2SB744, 2SB744-Y, 2SB744A, 2SB744A-Y, 2SB986, BD132, BD186, BD188, BD190, KSB744, KSB744-Y, KSB744A, KSB744A-Y, KSB772, KSB772-Y, KSH772, KSH772-Y, KTB772, KTB772-Y, MJE232, MJE235, MJE252, MJE254