Цоколевка транзистора 2SB775
|
Характеристики транзистора 2SB775
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -85 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
- Ток коллектора, не более: -6 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 200
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 18 МГц
- Корпус: TO-3P
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SB775 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB775-D имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB775-E — в диапазоне от 100 до 200.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB775 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B775«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB775 является транзистор 2SD895 c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SB775 можно заменить на 2SA1093, 2SA1106, 2SA1146, 2SB1162, 2SB1163, 2SB1361, 2SB1362, 2SB695, 2SB816, 2SB817, 2SB965, 2SB966, BD246C, BD250C, BDV96, KTB817, KTB817B, TIP36CA