Цоколевка транзистора 2SB775-E

|

Характеристики транзистора 2SB775-E

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -85 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -6 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 18 МГц
• Корпус: TO-3P

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB775 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB775-D имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB775-E — в диапазоне от 100 до 200.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB775-E часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B775-E«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB775-E является транзистор 2SD895-E c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB775-E можно заменить на 2SA1093, 2SA1106, 2SA1146, 2SB1162, 2SB1162-P, 2SB1163, 2SB1163-P, 2SB1361, 2SB1361-P, 2SB1362, 2SB1362-P, 2SB695, 2SB816, 2SB816-E, 2SB817, 2SB817-E, 2SB965, 2SB965-Q, 2SB966, 2SB966-Q, BD246C, BD250C, BDV96, KTB817, KTB817-Y, KTB817B, KTB817B-Y, MJL4302A, MJL4302AG, TIP36CA