Цоколевка транзистора 2SB795

|

Характеристики транзистора 2SB795

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -8 V
• Ток коллектора, не более: -1.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 2000 до 30000
• Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB795 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB795-M имеет коэффициент усиления в диапазоне от 2000 до 5000, 2SB795-L — в диапазоне от 4000 до 10000, 2SB795-K — в диапазоне от 8000 до 30000.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB795 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B795«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB795 является транзистор 2SD986 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB795 можно заменить на BD170, BD238, BD238G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSB795, KSE702, KSE703, MJE252, MJE254, MJE271, MJE271G, MJE702, MJE702G, MJE703, MJE703G, MJE712