Цоколевка транзистора 2SB817-E

|

Характеристики транзистора 2SB817-E

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -140 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -160 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -12 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 15 МГц
• Корпус: TO-3P

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB817 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB817-D имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB817-E — в диапазоне от 100 до 200.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB817-E часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B817-E«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB817-E является транзистор 2SD1047-E c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB817-E можно заменить на 2SB1162, 2SB1162-P, 2SB1163, 2SB1163-P, KTB817, KTB817-Y, KTB817B, KTB817B-Y, MJL4302A, MJL4302AG