Цоколевка транзистора 2SB825

|

Характеристики транзистора 2SB825

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -7 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 280
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
• Корпус: TO-220

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB825 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB825-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 70 до 140, 2SB825-R — в диапазоне от 100 до 200, 2SB825-S — в диапазоне от 140 до 280.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB825 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B825«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB825 является транзистор 2SD1061 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB825 можно заменить на 2SA1290, 2SA1291, 2SA1470, 2SA1471, 2SB1135, 2SB1136, 2SB826, BD204, BD304, BD536, BD538, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G