Цоколевка транзистора 2SB826-R
|
Характеристики транзистора 2SB826-R
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
- Ток коллектора, не более: -12 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
- Корпус: TO-220
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SB826 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB826-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 70 до 140, 2SB826-R — в диапазоне от 100 до 200, 2SB826-S — в диапазоне от 140 до 280.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB826-R часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B826-R«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB826-R является транзистор 2SD1062-R c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SB826-R можно заменить на 2SA1328, 2SA1329, 2SA1452A, 2SB1136, 2SB1136-R, BD546A, BD546B, BD546C, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F