Цоколевка транзистора 2SB829

|

Характеристики транзистора 2SB829

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -15 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 280
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
• Корпус: TO-3P

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB829 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB829-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 70 до 140, 2SB829-R — в диапазоне от 100 до 200, 2SB829-S — в диапазоне от 140 до 280.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB829 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B829«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB829 является транзистор 2SD1065 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB829 можно заменить на 2SA1292, BD246A, BD246B, BD246C, BD250A, BD250B, BD250C, TIP36CA