Цоколевка транзистора 2SD1380

|

Характеристики транзистора 2SD1380

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 32 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 40 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 2 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 82 до 390
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
• Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SD1380 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1380-P имеет коэффициент усиления в диапазоне от 82 до 180, 2SD1380-Q — в диапазоне от 120 до 270, 2SD1380-R — в диапазоне от 180 до 390.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SD1380 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «D1380«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SD1380 является транзистор 2SB1009 c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор 2SD1380 можно заменить на BD131, BD187, BD189, BD233, BD233G, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BDX35, BDX36, BDX37, MJE222, MJE225, MJE242, MJE244, MJE521, MJE521G