Цоколевка транзистора 2SD1621-R

|

Характеристики транзистора 2SD1621-R

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 30 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 2 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц
• Корпус: SOT-89

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SD1621 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1621-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 100 до 200, 2SD1621-S — в диапазоне от 140 до 280, 2SD1621-T — в диапазоне от 200 до 400, 2SD1621-U — в диапазоне от 280 до 560.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SD1621-R часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «D1621-R«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SD1621-R является транзистор 2SB1121-R c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор 2SD1621-R можно заменить на 2SC2873