Цоколевка транзистора 2SD1691-K
|
Характеристики транзистора 2SD1691-K
- Структура — n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
- Ток коллектора, не более: 5 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 200 до 400
- Корпус: TO-126
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SD1691 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1691-M имеет коэффициент усиления в диапазоне от 100 до 200, 2SD1691-L — в диапазоне от 160 до 320, 2SD1691-K — в диапазоне от 200 до 400.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SD1691-K часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «D1691-K«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SD1691-K является транзистор 2SB1151-K c p-n-p структурой.
Аналоги
Транзистор 2SD1691-K можно заменить на KSD1691, KSD1691-G, KTD1691, KTD1691-Y