Цоколевка транзистора 2SD1706-Q

|

Характеристики транзистора 2SD1706-Q

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 130 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
• Ток коллектора, не более: 15 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 90 до 180
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
• Корпус: TO-3PF

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SD1706 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1706-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SD1706-Q — в диапазоне от 90 до 180, 2SD1706-P — в диапазоне от 130 до 260.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SD1706-Q часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «D1706-Q«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SD1706-Q является транзистор 2SB1155-Q c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор 2SD1706-Q можно заменить на 2SC4388, 2SC4388-Y, 2SD1707, 2SD1707-Q