Цоколевка транзистора 2SD669-B

|

Характеристики транзистора 2SD669-B

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 180 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 1.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 120
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
• Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SD669 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD669-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SD669-C — в диапазоне от 100 до 200, 2SD669-D — в диапазоне от 160 до 320.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SD669-B часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «D669-B«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SD669-B является транзистор 2SB649-B c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор 2SD669-B можно заменить на 2SD669A, 2SD669A-B