Цоколевка транзистора 2SD669A-C
|
Характеристики транзистора 2SD669A-C
- Структура — n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 180 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 1.5 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
- Корпус: TO-126
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SD669A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD669A-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SD669A-C — в диапазоне от 100 до 200.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SD669A-C часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «D669A-C«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SD669A-C является транзистор 2SB649A-C c p-n-p структурой.
Аналоги
Транзистор 2SD669A-C можно заменить на 2SC3117, 2SC3117-R