Цоколевка транзистора 2SD756-D

|

Характеристики транзистора 2SD756-D

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 0.05 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 250 до 500
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 350 МГц
• Корпус: TO-92MOD

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SD756 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD756-D имеет коэффициент усиления в диапазоне от 250 до 500, 2SD756-E — в диапазоне от 400 до 800.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SD756-D часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «D756-D«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SD756-D является транзистор 2SB716-D c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор 2SD756-D можно заменить на 2SC1841, 2SC1845, 2SC2240, 2SC2326K, 2SC2544, 2SC2544-D, 2SC2547, 2SC2547-D, 2SC2547D, 2SC3200, 2SC3245, 2SC3245-F, 2SC3245A, 2SC3245A-F, 2SC3478, 2SD756A, 2SD756A-D, KSC1845, KTC3200