Цоколевка транзистора 2SD817

|

Характеристики транзистора 2SD817

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 600 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 1500 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 1.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 10 до 30
• Корпус: TO-3

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SD817 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «D817«.

Аналоги

Транзистор 2SD817 можно заменить на 2SD818, 2SD819, 2SD820, 2SD821, 2SD822, 2SD868, 2SD869, 2SD870, 2SD871, BU205, MJ12003