Цоколевка транзистора 2SD877-GR

|

Характеристики транзистора 2SD877-GR

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 110 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
• Ток коллектора, не более: 3 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 150 до 300
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-66

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SD877 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD877-O имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SD877-Y — в диапазоне от 100 до 200, 2SD877-GR — в диапазоне от 150 до 300.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SD877-GR часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «D877-GR«.

Аналоги

Транзистор 2SD877-GR можно заменить на 2SC1113