Цоколевка транзистора 2SD985-M

|

Характеристики транзистора 2SD985-M

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 150 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 8 V
• Ток коллектора, не более: 1.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 2000 до 5000
• Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SD985 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD985-M имеет коэффициент усиления в диапазоне от 2000 до 5000, 2SD985-L — в диапазоне от 4000 до 10000, 2SD985-K — в диапазоне от 8000 до 30000.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SD985-M часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «D985-M«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SD985-M является транзистор 2SB794-M c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор 2SD985-M можно заменить на 2SD1692, 2SD1692-M, 2SD986, 2SD986-M, KSB985, KSB985-R, KSB986, KSB986-R, KSD1692, KSD1692-O