Цоколевка транзистора BCP52-10

|

Характеристики транзистора BCP52-10

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.5 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 63 до 160
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 125 МГц
• Корпус: SOT-223

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BCP52-10 является транзистор BCP55-10 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор BCP52-10 можно заменить на BCP52, BCP53, BCP53-10, BDP952, BDP954, BDP956