Цоколевка транзистора BD226

|

Характеристики транзистора BD226

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 45 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 1.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 12.5 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 250
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 125 МГц
• Корпус: TO-126

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BD226 является транзистор BD227 c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор BD226 можно заменить на BD131, BD135, BD135G, BD137, BD137G, BD139, BD139G, BD165, BD167, BD169, BD175, BD177, BD179, BD187, BD189, BD228, BD230, BD233, BD233G, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD375, BD377, BD379, BD785, BD787, BD787G, BD789, BD791, MJE225, MJE242, MJE244, MJE721, MJE722