Цоколевка транзистора BD646

|

Характеристики транзистора BD646

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -8 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 62.5 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750
• Корпус: TO-220

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BD646 является транзистор BD645 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор BD646 можно заменить на 2N6041, 2N6041G, 2N6042, 2N6042G, 2N6668, 2N6668G, BD648, BD650, BD652, BD900, BD900A, BD902, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW74B, BDW74C, BDW74D, BDW94B, BDW94C, BDW94CF, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54B, BDX54BG, BDX54C, BDX54CG, MJF6668, MJF6668G, TIP106, TIP106G, TIP107, TIP107G, TIP136, TIP136G, TIP137, TIP137G, TIP147T