Цоколевка транзистора BD680G

|

Характеристики транзистора BD680G

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750
• Корпус: TO-126

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BD680G является транзистор BD679G c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор BD680G можно заменить на 2N6036, 2N6036G, BD680, BD680A, BD680AG, BD682, BD682G, BD780, KSE702, KSE703, MJE702, MJE702G, MJE703, MJE703G