Цоколевка транзистора BD776

|

Характеристики транзистора BD776

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -45 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 15 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
• Корпус: TO-126

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BD776 является транзистор BD775 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор BD776 можно заменить на 2N6035, 2N6035G, 2N6036, 2N6036G, BD676, BD676A, BD676AG, BD676G, BD678, BD678A, BD678AG, BD678G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD778, BD780, KSE700, KSE701, KSE702, KSE703, MJE700, MJE700G, MJE701, MJE701G, MJE702, MJE702G, MJE703, MJE703G