Цоколевка транзистора BD896

|

Характеристики транзистора BD896

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -45 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -8 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 70 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750
• Корпус: TO-220

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BD896 является транзистор BD895 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор BD896 можно заменить на 2N6040, 2N6040G, 2N6041, 2N6041G, 2N6042, 2N6042G, 2N6667, 2N6667G, 2N6668, 2N6668G, BD644, BD646, BD648, BD650, BD652, BD896A, BD898, BD898A, BD900, BD900A, BD902, BDT62, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDW44, BDW45, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW74, BDW74A, BDW74B, BDW74C, BDW74D, BDW94, BDW94A, BDW94B, BDW94C, BDW94CF, BDX34, BDX34A, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54, BDX54A, BDX54B, BDX54BG, BDX54C, BDX54CG, MJF6668, MJF6668G, TIP105, TIP105G, TIP106, TIP106G, TIP107, TIP107G, TIP135, TIP135G, TIP136, TIP136G, TIP137, TIP137G, TIP147T