Цоколевка транзистора BDT30F

|

Характеристики транзистора BDT30F

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -40 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 19 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 75
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-220F

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BDT30F является транзистор BDT29F c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор BDT30F можно заменить на 2N6475, 2N6476, BD710, BD712, BD910, BD912, BDT30AF, BDT30BF, BDT30CF, BDT42, BDT42A, BDT42AF, BDT42B, BDT42BF, BDT42C, BDT42CF, BDT42F, D44C10, D45C10, MJE5170, MJE5171, MJE5172, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, NTE292, TIP30B, TIP30BG, TIP30C, TIP30CG, TIP42B, TIP42BG, TIP42C, TIP42CF, TIP42CG