Цоколевка транзистора BDT60C

|

Характеристики транзистора BDT60C

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750
• Корпус: TO-220

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BDT60C является транзистор BDT61C c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор BDT60C можно заменить на BD652, BDT62C, BDT64C, BDW48, BDW54D, BDW64D, BDW74D, BDX34D