Цоколевка транзистора BDT61C

|

Характеристики транзистора BDT61C

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750
• Корпус: TO-220

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BDT61C является транзистор BDT60C c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор BDT61C можно заменить на BD651, BDT63C, BDT65C, BDW43, BDW53D, BDW63D, BDW73D, BDX33D