Цоколевка транзистора BDT62B

|

Характеристики транзистора BDT62B

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
• Корпус: TO-220

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BDT62B является транзистор BDT63B c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор BDT62B можно заменить на BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668, MJF6668G, TIP147T