Цоколевка транзистора BDT64C

|

Характеристики транзистора BDT64C

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -12 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 125 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
• Корпус: TO-220

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BDT64C является транзистор BDT65C c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор BDT64C можно заменить на BDW48