Цоколевка транзистора BDT65B

|

Характеристики транзистора BDT65B

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 12 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 125 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
• Корпус: TO-220

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BDT65B является транзистор BDT64B c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор BDT65B можно заменить на BDT65C, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388, MJF6388G