Цоколевка транзистора BDT96

|

Характеристики транзистора BDT96

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V
• Ток коллектора, не более: -10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
• Корпус: TO-220

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BDT96 является транзистор BDT95 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор BDT96 можно заменить на BDT96F