Цоколевка транзистора BDV65BG

|

Характеристики транзистора BDV65BG

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 125 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
• Корпус: TO-247

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BDV65BG является транзистор BDV64BG c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор BDV65BG можно заменить на BDV65B, TIP142, TIP142G