Цоколевка транзистора BDV66B

|

Характеристики транзистора BDV66B

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -16 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 200 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
• Корпус: TO-3P

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BDV66B является транзистор BDV67B c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор BDV66B можно заменить на BDV66C, BDV66D