Цоколевка транзистора BDW53D

|

Характеристики транзистора BDW53D

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750 до 20000
• Корпус: TO-220

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BDW53D является транзистор BDW54D c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор BDW53D можно заменить на 2SC2898, 2SC3310, 2SC3795, 2SC3795A, 2SC4242, 2SC5241, 2SD772, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792, 2SD792A, 2SD792B, BD539D, BD651, BD955, BDT61C, BDT87, BDT87F, BDW63D, BDW73D, BDX33D, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE13070, MJE13071, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJE15032, MJE15032G, MJE15034, MJE15034G, MJE16002, MJE16004, MJE5740, MJE5741, MJE5742, MJE8502, MJE8503, MJF15030, MJF15030G, TIP150, TIP151, TIP152, TIP160, TIP161, TIP162, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E, TIP42F