Цоколевка транзистора DXT5401

|

Характеристики транзистора DXT5401

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -150 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -160 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -0.6 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 240
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 300 МГц
• Корпус: SOT-89

Комплементарная пара

Комплементарной парой для DXT5401 является транзистор DXT5551 c n-p-n структурой.