Цоколевка транзистора H733-P

|

Характеристики транзистора H733-P

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -0.15 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.25 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 200 до 400
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 180 МГц
• Корпус: TO-92

Классификация по hFE

Транзисторы серии H733 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор H733-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 90 до 180, H733-Q — в диапазоне от 135 до 270, H733-P — в диапазоне от 200 до 400, H733-K — в диапазоне от 300 до 600.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для H733-P является транзистор H945-P c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор H733-P можно заменить на 2SA1246, 2SA1246-T, 2SA1318, 2SA1318-T, 2SA1319, 2SA1319-T, 2SA1481, 2SA1680, 2SA1761, 2SA1972, 2SA953, 2SA953-K, 2SA954, 2SA954-K, 2SB1116, 2SB1116-K, 2SB1116A, 2SB1116A-K, 2SB1116AK, 2SB1116K, 2SB560, 2SB892, 2SB892-T, 2SB985, 2SB985T, 2SC536N, A733, A733P, KSA708C, KSA709C, KSA709CG, KSA733C, KSA733CG, KSB1116, KSB1116-G, KSB1116A, KSB1116A-G, KSB1116S, KSB1116S-G, KTA1279