Цоколевка транзистора HSB1109-B

|

Характеристики транзистора HSB1109-B

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -160 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -160 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -0.1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.25 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 120
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
• Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии HSB1109 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор HSB1109-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, HSB1109-C — в диапазоне от 100 до 200, HSB1109-D — в диапазоне от 160 до 320.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для HSB1109-B является транзистор HSD1609-B c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор HSB1109-B можно заменить на 2SA1156, 2SA1156L, 2SA1220A, 2SA1220A-R, 2SA1352, 2SA1352-D, 2SA1353, 2SA1353-D, 2SA1380, 2SA1380-D, 2SA1381, 2SA1381-D, 2SA1406, 2SA1406-D, 2SA1407, 2SA1407-D, 2SB1109, 2SB1109-B, 2SB1110, 2SB1110-B, 2SB649A, 2SB649A-B, KSA1156, KSA1156O, KSA1220A, KSA1220A-R, KSA1381, KSA1381-D, KSE350, KTA1703, KTA1703-O, MJE350, MJE350G