Цоколевка транзистора HSD1609

|

Характеристики транзистора HSD1609

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 160 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 0.1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.25 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 320
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 145 МГц
• Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии HSD1609 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор HSD1609-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, HSD1609-C — в диапазоне от 100 до 200, HSD1609-D — в диапазоне от 160 до 320.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для HSD1609 является транзистор HSB1109 c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор HSD1609 можно заменить на 2SC2258, 2SC2690A, 2SC2899, 2SC3416, 2SC3417, 2SC3502, 2SC3503, 2SC3600, 2SC3601, 2SD1609, 2SD1610, BD127, BD128, BD129, BUX86, BUX87, KSC2258, KSC2258A, KSC2690A, KSC3502, KSC3503