Цоколевка транзистора HSD1609-D

|

Характеристики транзистора HSD1609-D

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 160 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 0.1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.25 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 160 до 320
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 145 МГц
• Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии HSD1609 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор HSD1609-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, HSD1609-C — в диапазоне от 100 до 200, HSD1609-D — в диапазоне от 160 до 320.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для HSD1609-D является транзистор HSB1109-D c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор HSD1609-D можно заменить на 2SC1565A, 2SC2258, 2SC2682, 2SC2682P, 2SC2690A, 2SC2690A-P, 2SC2899, 2SC2911, 2SC2912, 2SC3116, 2SC3117, 2SC3416, 2SC3416-F, 2SC3417, 2SC3417-F, 2SC3502, 2SC3502-F, 2SC3503, 2SC3503-F, 2SC3600, 2SC3600-F, 2SC3601, 2SC3601-F, 2SD1609, 2SD1609-D, 2SD1610, 2SD1610-D, BD127, BD128, BD129, BUX86, BUX87, KSC2258, KSC2258A, KSC2682, KSC2682Y, KSC2690A, KSC2690A-P, KSC2690A-Y, KSC3502, KSC3502-F, KSC3503, KSC3503-F