Цоколевка транзистора HSD1609S-C

|

Характеристики транзистора HSD1609S-C

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 160 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 0.1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.9 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
• Корпус: TO-92

Классификация по hFE

Транзисторы серии HSD1609S делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор HSD1609S-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, HSD1609S-C — в диапазоне от 100 до 200, HSD1609S-D — в диапазоне от 160 до 320.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для HSD1609S-C является транзистор HSB1109S-C c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор HSD1609S-C можно заменить на 2N5551C, 2N6517C, 2SC2271, 2SC2271-E, 2SC2383, 2SC2383O, 2SC3228, 2SC3228-O, 2SC3332, 2SC3332-R, 2SC3467, 2SC3467-E, 2SC3468, 2SC3468-E, KSC1506, KSC2330, KSC2383, KSC2383O, KTC3228, KTC3228O