Цоколевка транзистора KSB1017

|

Характеристики транзистора KSB1017

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 240
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 9 МГц
• Корпус: TO-220F

Классификация по hFE

Транзисторы серии KSB1017 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KSB1017-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, KSB1017-O — в диапазоне от 70 до 140, KSB1017-Y — в диапазоне от 120 до 240.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для KSB1017 является транзистор KSD1408 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор KSB1017 можно заменить на 2SA1488A, 2SA771, 2SB1016, 2SB1017, 2SB1367, 2SB1368, 2SB595, 2SB596, 2SB633, 2SB762A, 2SB942A, 2SB995, 2SB996, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD800, BD802, BD810, BD952, BD954, BD956, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, KSB596, KTB1367, KTB1368, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G