Цоколевка транзистора KSB1116-G

|

Характеристики транзистора KSB1116-G

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 200 до 400
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 120 МГц
• Корпус: TO-92

Классификация по hFE

Транзисторы серии KSB1116 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KSB1116-Y имеет коэффициент усиления в диапазоне от 135 до 270, KSB1116-G — в диапазоне от 200 до 400, KSB1116-L — в диапазоне от 300 до 600.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для KSB1116-G является транзистор KSD1616-G c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор KSB1116-G можно заменить на 2SA1680, 2SA1761, 2SB1116, 2SB1116-K, 2SB1116A, 2SB1116A-K, 2SB1116AK, 2SB1116K, 2SB892, 2SB892-T, 2SB985, 2SB985T, KSB1116A, KSB1116A-G, KSB1116S, KSB1116S-G