Цоколевка транзистора KSB596

|

Характеристики транзистора KSB596

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 240
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 8 МГц
• Корпус: TO-220

Классификация по hFE

Транзисторы серии KSB596 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KSB596-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, KSB596-O — в диапазоне от 70 до 140, KSB596-Y — в диапазоне от 120 до 240.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для KSB596 является транзистор KSD526 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор KSB596 можно заменить на 2SA1488A, 2SA771, 2SB1016, 2SB1017, 2SB1367, 2SB1368, 2SB595, 2SB596, 2SB633, 2SB762A, 2SB942A, 2SB995, 2SB996, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD800, BD802, BD810, BD952, BD954, BD956, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, KSB1017, KTB1367, KTB1368, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G