Цоколевка транзистора KSC5030-N

|

Характеристики транзистора KSC5030-N

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 800 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 1100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
• Ток коллектора, не более: 6 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 10 до 20
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 15 МГц
• Корпус: TO-3P

Классификация по hFE

Транзисторы серии KSC5030 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KSC5030-N имеет коэффициент усиления в диапазоне от 10 до 20, KSC5030-R — в диапазоне от 15 до 30, KSC5030-O — в диапазоне от 20 до 40.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора KSC5030-N часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «C5030-N«.

Аналоги

Транзистор KSC5030-N можно заменить на 2SC3552, 2SC3552-K, 2SD1399, 2SD1403, KSC3552, KSC3552-N