Цоколевка транзистора KSD2012-G

|

Характеристики транзистора KSD2012-G

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
• Ток коллектора, не более: 3 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 150 до 320
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-220F

Классификация по hFE

Транзисторы серии KSD2012 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KSD2012-Y имеет коэффициент усиления в диапазоне от 100 до 200, KSD2012-G — в диапазоне от 150 до 320.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для KSD2012-G является транзистор KSB1366-G c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор KSD2012-G можно заменить на 2SC1826, 2SC1985, 2SC1986, 2SC2075, 2SC2898, 2SC3179, 2SC3310, 2SC3795, 2SC3795A, 2SC3851, 2SC3851A, 2SC3866, 2SC4007, 2SC4008, 2SC4242, 2SC5241, 2SC5353, 2SD1134, 2SD1266, 2SD1266A, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD1761, 2SD2012, 2SD2061, 2SD2394, 2SD313, 2SD613, 2SD772, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792, 2SD792A, 2SD792B, 2SD823, BD203, BD241A, BD241B, BD241C, BD243A, BD243B, BD243C, BD303, BD535, BD537, BD539A, BD539B, BD539C, BD539D, BD543A, BD543B, BD543C, BD545A, BD545B, BD545C, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD949, BD951, BD953, BD955, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, MJE13070, MJE13071, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJE15032, MJE15032G, MJE15034, MJE15034G, MJE16002, MJE16004, MJE8502, MJE8503, MJF15030, MJF15030G, TIP150, TIP151, TIP152, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E, TIP42F