Цоколевка транзистора KSD261G

|

Характеристики транзистора KSD261G

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 20 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 40 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 0.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 200 до 400
• Корпус: TO-92

Классификация по hFE

Транзисторы серии KSD261 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KSD261Y имеет коэффициент усиления в диапазоне от 120 до 240, KSD261G — в диапазоне от 200 до 400.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для KSD261G является транзистор KSA643G c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор KSD261G можно заменить на 2N5830, 2N5832, 2SC1008, 2SC1008G, 2SC1009, 2SC1009G, 2SD261, 2SD261G, 2SD471A, 2SD471AG, BC537, BC537-25, BC538, BC538-25, KSC1008, KSC1008G, KSC1009, KSC1009G, KSD471A, KSD471AG, KSP05, KSP06, KSP42, KSP43, MPS3417, MPS3706, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPS6532, MPS6602, MPS6602G, MPSA05, MPSA05G, MPSA06, MPSA06G, MPSA42, MPSA43, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, MPSW42, MPSW42G, NTE192, PN100, ZTX690B, ZTX692B, ZTX694B, ZTX696B