Цоколевка транзистора KTB772-O

|

Характеристики транзистора KTB772-O

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -40 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -3 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 80 МГц
• Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии KTB772 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KTB772-O имеет коэффициент усиления в диапазоне от 100 до 200, KTB772-Y — в диапазоне от 160 до 320, KTB772-GR — в диапазоне от 200 до 400.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для KTB772-O является транзистор KTD882-O c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор KTB772-O можно заменить на 2SA1217, 2SB743, 2SB743-Q, 2SB744, 2SB744-O, 2SB744A, 2SB744A-O, 2SB772, 2SB772O, 2SB772Q, 2SB986, 2SB986-R, BD132, BD176, BD176-16, BD178, BD180, BD180G, BD186, BD188, BD190, BD786, BD788, BD788G, BD790, BD792, KSB744, KSB744-O, KSB744A, KSB744A-O, KSB772, KSB772-O, KSE170, KSE171, KSE172, KSH772, KSH772-O, MJE170, MJE170G, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE230, MJE232, MJE233, MJE235, MJE250, MJE252, MJE254