Транзистор KTB817B-O

Цоколевка транзистора KTB817B-O

|Цоколевка транзистора KTB817B-O

Характеристики транзистора KTB817B-O

  • Структура — p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -140 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -160 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
  • Ток коллектора, не более: -12 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 120
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 15 МГц
  • Корпус: TO-3P

Классификация по hFE

Транзисторы серии KTB817B делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KTB817B-O имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, KTB817B-Y — в диапазоне от 100 до 200.

Аналоги

Транзистор KTB817B-O можно заменить на 2SA1294, 2SA1301, 2SA1302, 2SA1386, 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1492, 2SA1516, 2SA1942, 2SA1943, 2SA1962, 2SA1986, 2SA2120, 2SA2121, 2SA2151, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, 2SA2223, 2SA2223A, 2SB1162, 2SB1162-Q, 2SB1163, 2SB1163-Q, 2SB817, 2SB817-D, FJA4213, FJL4215, KTA1943, KTA1943A, KTA1962, KTA1962A, KTB817, KTB817-O, MAG9413, NTE2329