Цоколевка транзистора MJ11033G

|

Характеристики транзистора MJ11033G

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -50 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 300 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 до 18000
• Корпус: TO-3

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MJ11033G является транзистор MJ11032G c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор MJ11033G можно заменить на MJ11033